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SEMI報(bào)告:2019年下半年全球Fab設(shè)備支出反彈,,預(yù)計(jì)2020年將強(qiáng)勁增長(zhǎng)
作者:admin  來源:SEMI中國(guó)  發(fā)表時(shí)間:2/17/2020 9:04:45 AM  點(diǎn)擊數(shù):3412

美國(guó)加州時(shí)間2019年12月16日,SEMI在其世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告(World Fab Forecast)上指出,,上半年疲軟之后下半年memory投資激增,,預(yù)計(jì)2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將上調(diào)至566億美元。SEMI數(shù)據(jù)表明,,從2018年到2019年,,晶圓廠設(shè)備投資僅下降7%,與之前預(yù)測(cè)的下降18%相比有明顯改善,。對(duì)memory尤其是3D NAND,、前沿邏輯和代工廠的投資不斷增加,推動(dòng)了這一轉(zhuǎn)變,。

SEMI還將其2020年晶圓廠設(shè)備投資計(jì)劃修訂為更樂觀的580億美元,。
反彈迅速扭轉(zhuǎn)了全球晶圓廠設(shè)備支出放緩的趨勢(shì),如圖1的黃色趨勢(shì)線所示,,總投資在2018年下半年下降了10%,,在2019年上半年下降了12%。在2019年的前六個(gè)月中,,3D NAND的投資嚴(yán)重下跌,,晶圓廠用于memory的設(shè)備支出下降了38%,,降至100億美元以下,較2018年下半年暴跌了57%.2018年下半年的DRAM投資下降了12%,,今年上半年也下降了12%,。

Figure 1: Fab equipment spending by half year and change rates of main investment contributors
下降趨勢(shì)在2019年底突然改變。
在臺(tái)積電和英特爾的帶動(dòng)下,,對(duì)前沿邏輯和代工廠的投資目前預(yù)計(jì)將在2019年下半年增長(zhǎng)26%,,而同期3D NAND支出將猛增70%以上。盡管今年上半年DRAM投資持續(xù)下降,,但自7月份以來的下降趨勢(shì)變得緩和,。
在索尼的帶動(dòng)下,圖像傳感器支出預(yù)計(jì)在2020年上半年增長(zhǎng)20%,,在下半年猛增90%以上,,達(dá)到16億美元的峰值。在英飛凌,,意法半導(dǎo)體和博世的推動(dòng)下,,與電源相關(guān)的設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2020年上半年增長(zhǎng)40%以上,在下半年再增長(zhǎng)29%,,達(dá)到近17億美元,。


 

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